可变电阻式记忆体

可变电阻式记忆体（英语：Resistive random-access memory，缩写为RRAM 或ReRAM），是一种新型的非挥发性记忆体，和另一种新型的磁阻式随机存取记忆体一起属于新世代的记忆体。类似的技术还有CBRAM与相变化记忆体，目前许多公司都正在发展这种技术。

对于即将迎来的物联网时代需要即时资料储存需求、低能耗、资料耐久度高、每次写入或储存的资料单位小等层面，综观上面的需要，NAND快闪记忆体并不是一个合适的选项，不过由于ReRAM的操作电压较低，消耗的电力亦较少，且ReRAM的写入资讯速度比同样是非挥发性记忆体的NAND快闪记忆体快1万倍，因此在这个即将面临而来的挑战，可变电阻式记忆体绝对是一个不可或缺的存在。

最基本的可变电阻式记忆体是由上下两层金属电极以及中间一层过渡金属氧化物(Transition metal oxide, TMO)所组成，主要的操作原理是利用过渡金属氧化物的阻值，会随著所加偏压改变而产生不同的阻值，而如何办别内部储存的值，则由内部的阻值高低来做分别。通常会先对刚生产好的可变电阻式记忆体进行初始化，此过程被称为Forming，必须对元件施加偏压，当电场超过临界值时介电层会发生崩溃现象，使介电层从高阻值转为低阻值。而从Forming之后发生改变阻值的现象，若是从高阻态到低阻态的过程称之为SET，相反地，从低阻态到高阻态的过程称之为RESET。