相變化記憶體
此條目需要补充更多来源。 (2018年11月5日) |
此條目需要擴充。 (2018年11月5日) |
相變化記憶體（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又譯為相變位記憶體，是一種非易失性存储器裝置。PRAM使用含一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）製成，目前的主流為GeSbTe系合金。硫屬玻璃的特性是，經由加熱可以改變它的狀態，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。 它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一。
技術內容
编辑限制
编辑發展狀況
编辑Intel在2003年開始進行研發。
目前研究的單位有 Intel，Samsung，Macronix，Advanced Memory Corp.
外部連結
编辑 | 这是一篇與電腦儲存裝置相關的小作品。您可以通过编辑或修订扩充其内容。 |