讨论:互补式金属氧化物半导体
2404:0:8029:EB61:806B:8622:52DB:3764在话题“CMOS应该尚难突破1nm物理极限”中的最新留言：3年前
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编辑CMOS译成"互补性氧化金属半导体"事实上不能完全反映出CMOS的结构(MOSFET闸极的结构为金属-氧化层(二氧化矽)-半导体(通常为矽半导体)，甚至会造成误解(在CMOS中，闸极氧化层并非金属，而是半导体)。故台湾电机工程界对CMOS一般可接受的翻译是“互补式金属-氧化层-半导体”，简称“互补式金氧半”。
- 其实大陆的主要译名是“互补金属氧化物半导体”。用“氧化金属”的确会造成误会。 --Lorenzarius 12:25 2006年10月16日 (UTC)
CMOS应该尚难突破1nm物理极限
编辑这技术应该还是锁不住the electron.在量子物理的基础上,电子在适当的物理条件下仍会进行穿越效应。CMOS可以锁住电子的能力应该有限（电子还是远比半导体结构的分布范围还小，这就像不论怎么调整笼子的大小结构材质分布，空气分子还是有机率会穿透牢笼），而且开发这材料技术的成本应该非常高昂.要用爱因斯坦的思考方式解决1nm物理极限．但相关理论和技术细节，本人不予透漏。──以上未签名的留言由2404:0:8029:EB61:806B:8622:52DB:3764（讨论）于2021年6月20日 (日) 07:56 (UTC)加入。