磷化銦
化合物
磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化鎵及大部份的三五族半導體相同，都是面心立方（闪锌矿）晶體結構。
| 磷化銦 | |
|---|---|
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| 别名 | Indium(III) phosphide |
| 识别 | |
| CAS号 | 22398-80-7 
|
| PubChem | 31170 |
| ChemSpider | 28914 |
| SMILES |
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| InChI |
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| InChIKey | GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF |
| 性质 | |
| 化学式 | InP |
| 摩尔质量 | 145.792 g·mol⁻¹ |
| 外观 | 黑色立方晶體 |
| 密度 | 4.81 g/cm3（固體時） |
| 熔点 | 1062 °C（1335 K） |
| 溶解性 | 微溶於酸[1] |
| 能隙 | 1.344(300 K，直接帶隙) eV |
| 电子迁移率 | 5400 cm2/(V·s) (300 K) |
| 熱導率 | 0.68 W/(cm·K) (300 K) |
| 折光度n D |
3.1 (紅外線); 3.55 (632.8 nm)[2] |
| 结构 | |
| 晶体结构 | 閃鋅礦結構 |
| 晶格常数 | a = 5.8687 Å [3] |
| 配位几何 | 四面體 |
| 热力学 | |
| ΔfHm⦵298K | -88.7 kJ/mol |
| S⦵298K | 59.8 J/(mol·K) |
| 热容 | 45.4 J/(mol·K)[4] |
| 危险性 | |
| MSDS | External MSDS |
| 欧盟编号 | 未列出 |
| 主要危害 | 有毒，會水解為磷化氢 |
| 相关物质 | |
| 其他阴离子 | 氮化銦 砷化銦 銻化銦 |
| 其他阳离子 | 磷化鋁 磷化鎵 |
| 相关化学品 | 磷化銦鎵 磷化鋁鎵銦 砷銻磷化鎵銦 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
製備
编辑用途
编辑磷化銦因為電子速率較常見的矽半導體及砷化鎵都要高，可用在高功率高頻的電子電路中。磷化銦因為有直接带隙，適合作像雷射二極體等光電工程元件。磷化銦也用在銦鎵砷為基礎的光電元件中的磊晶基板。
化學
编辑參考資料
编辑- ^ Template:Citation book
- ^ Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry, Journal of Materials Science Letters, 1993, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698.
- ^ Basic Parameters of InP. [2015-09-12]. （原始内容存档于2015-09-24）.
- ^ Template:Citation book
- ^ Indium Phosphide at HSDB. [2020-09-15]. （原始内容存档于2016-01-06）.
- ^ Bouarissa, Nadir. Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure. Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013]. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073.
外部連結
编辑- Extensive site on the physical properties of indium phosphide （页面存档备份，存于互联网档案馆） (Ioffe institute)
- InP conference series （页面存档备份，存于互联网档案馆） at IEEE
- Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier （页面存档备份，存于互联网档案馆） (2005 news)